Produktbeschreibung
Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1066-2RN-07-10-F2 läuft mit 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.
Die Speicherfrequenz beträgt 1066 MHz .
Die Marke BRAINZAP ist bei der JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) registriert und unsere Speichermodule entsprechen zu 100% den JEDEC Spezifikationen. Das Speichermodul ist mit dem JEDEC-Spezifikationen PC3-8500S-07-10-F2 prorammiert. Die entsprechende Speicherlatenz ist CL7.
Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.
Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix). Sie erhalten eine lebenslange Garantie auf all unsere Speichermodule. Für weitere Informationen zur Garantie lesen Sie bitte die
- Neuer Speicher.
- Markenchips (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
- Kompatibel mit den meisten Notebooks mit DDR3 Speicher.
- Beispielabbildung. Aussehen kann abweichen.
- Kompatibel mit PC3-8500S-07-10-F2 wie z.B:
Samsung M471B5273BH1-CF8
Samsung M471B5273CH0-CF8
Hynix HMT351S6AFR8C-G7
Produktdetails
- EAN: 4262360570807
- Speichertyp: DDR3 RAM
- Marke: BRAINZAP
- Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1066-2RN-07-10-F2
- Kompatibel mit: Notebooks - Intel und AMD
- Speicher-Frequenz: 1066 MHz
- Modul-Einzelkapazität: 4GB
- Anzahl Module: 1
- Gesamtkapazität: 4GB
- Speicher-Spezifikation: PC3-8500S-07-10-F2
- JEDEC Norm: PC3-8500S
- Bauform: SO DIMM 204-pol.
- Unbuffered: ja
- ECC: nein
- Registriert: nein
- Spannung: 1.5V
- Latenz (CL): 7
- RAS to CAS Delay (tRCD): 7
- Ras Precharge Time (tRP): 7
- Chip-Anordnung: 2Rx8
